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模拟电子技术基础IX 试 卷(作业考核 线上2) A 卷(共 6 页)
总分 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十
得分
一、(40分) 单项选择题(选一个正确答案填入括号里,每题2分)
1.P型半导体是在本征半导体中加入下面物质后形成的。( )
A、电子 B、空穴 C、三价元素 D、五价元素
2.稳压管的稳压区是其工作在( )。
A、正向导通 B、反向截止 C、反向击穿
3.二极管电路如图1所示,设二极管均为理想的,则电压Uab为( )。
图1
A、-12V B、-6V C、0V D、+6V
4.在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为-9V、-6.2V和-6V,则这只三极管属于( )。
A、硅PNP型 B、硅NPN型 C、锗PNP型 D、锗NPN型
5. 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 ( )。
A、减小温漂 B、增大放大倍数 C、 提高输入电阻
6.差动式放大电路的差模输入信号是指两个输入端的输入信号的( ),
A、差 B、和 C、 平均值
7. 差动式放大电路的共模输入信号是指两个输入端的输入信号的( )。
A、差 B、和 C、 平均值
8. 按要求选择合适的电路构成两级放大电路。
要求输入电阻为1kΩ至2kΩ,电压放大倍数大于3000,第一级应采用( )。
A、共射电路 B、.共集电路 C、共基电路
9. 按要求选择合适的电路构成两级放大电路。要求输入电阻为1kΩ至2kΩ,电压放大倍数大于3000,第二级应采用( )。
A、共射电路 B、.共集电路 C、共基电路
10. 按要求选择合适的电路构成两级放大电路。
要求输入电阻为100kΩ~200kΩ,电压放大倍数数值大于100,第一级应采用 ( )。
A、共射电路 B、.共集电路 C、共基电路
11. 按要求选择合适的电路构成两级放大电路。
要求输入电阻为100kΩ~200kΩ,电压放大倍数数值大于100,第二级应采用 ( )。
A、共射电路 B、.共集电路 C、共基电路
12. 根据要求选择合适的反馈组态。
欲得到电流-电压转换电路,应在放大电路中引入 ( )。
A、电压串联负反馈 B、电压并联负反馈
C、电流串联负反馈 D、电流并联负反馈
13. 根据要求选择合适的反馈组态。
欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应在放大电路中引入( )。
A、电压串联负反馈 B、电压并联负反馈
C、电流串联负反馈 D、电流并联负反馈
14. 根据要求选择合适的反馈组态。
欲减小电路从信号源索取的电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入( )。
A、电压串联负反馈 B、电压并联负反馈
C、电流串联负反馈 D、电流并联负反馈
15. 根据要求选择合适的反馈组态。
欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电流,应在放大电路中引入( )。
A、电压串联负反馈 B、电压并联负反馈
C、电流串联负反馈 D、电流并联负反馈
16.已知电路如图2所示。T1和T2管的饱和管压降│UCES│=3V,VCC=15V, RL=8Ω。电路中D1和D2管的作用是消除 ( )。
图2
A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真
17.已知电路如图2所示。T1和T2管的饱和管压降│UCES│=3V,VCC=15V, RL=8Ω。静态时,晶体管发射极电位UEQ( )。
A、>0V B、=0V C、<0V
18.已知电路如图2所示。T1和T2管的饱和管压降│UCES│=3V,VCC=15V, RL=8Ω。最大输出功率POM ( ) 。
A、≈28W B、=18W C、=9W
19.已知电路如图2所示。T1和T2管的饱和管压降│UCES│=3V,VCC=15V, RL=8Ω。当输入为正弦波时,若R1虚焊,即开路,则输出电压 ( ) 。
A、为正弦波 B、仅有正半波 C、仅有负半波
20.已知电路如图2所示。T1和T2管的饱和管压降│UCES│=3V,VCC=15V, RL=8Ω。若D1虚焊,则T1管 ( ) 。
A、可能因功耗过大烧坏 B、始终饱和 C、始终截止
二、(10分) 判断题(每题1分)
1. 半导体中的空穴是带正电的离子。( )
2. 截止失真和饱和失真不可能同时产生。( )
3. 稳压管只能工作在反向击穿区。( )
4. 最大不失真输出电压幅值为放大电路的直流参数。( )
5. 差动式放大电路的共模抑制比KCMR越大,说明电路的交流放大倍数越大。( )
6.运算放大器的开环应用是指运算放大器的输出无负载。( )
7.为满足振荡的相位条件,RC文氏桥振荡器中的放大器的输出信号与输入信号之间的相位差应为180゜。( )
8.为了有效的抑制零点漂移,集成运算放大器通常采用阻容耦合的连接方式。( )
9.为了保证二极管正向导通,可以将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端。( )
10.放大电路引入负反馈的主要目的是为了增强电路的放大能力。( )
三、(10分)半导体器件的分析。 (每题5分)
1、电路如图3所示,设输入电压ui是幅值为12V的正弦波,试分析D1,D2工作状态,并画出uo的波形。(设二极管D1,D2为理想二级管)。
2、根据图4所示的晶体管型号及实测对地直流电压数据(设直流电压表的内阻非常大),分析:(1)管子是锗管还是硅管?(2)管子的工作状态(放大、截止、饱和或损坏)。
四、多级放大电路的分析与计算。 (15分)
两级放大电路如图5所示。已知β1=25,β2=100,UBE1=0.7V,UBE2=-0.2V。求:(1)为了使ΔUs=0时,UC2=4V,Rb的阻值应为多大?(2)Rb选用(1)中确定的阻值,计算Aus=?(3)若电阻Rb与T1管基极断开,两管的集电极静态电位Uc1和Uc2各是多少?
五、单管放大电路的分析与计算。 (15分)
电路如图6所示,已知VCC=12V,Rbl=40kΩ,Rb2=20kΩ,Rc=RL=2kΩ,UBE=0.7V,β=50,Re=2kΩ,UCES≈0V。求:(1)计算静态工作点;(2)随着输入信号 的增大,输出信号 也增大,若输出 波形出现失真,则首先出现的是截止失真还是饱和失真? (3)计算 和 。
六、集成运放的分析与计算。 (10分)
电路如图7所示,设UI1=5V,UI2=5.1V,计算理想情况下,(1)当合上电源4.9S瞬间UO1、UO2、UO3、UO各点对地电压为多少?(2)当合上电源5.1S瞬间UO1、UO2、UO3、UO各点对地电压为多少?
图7
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